重庆大学罗永捷获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种光储直柔用MMC变流器的换流阀损耗确定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115168786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210892283.X，技术领域涉及：G06F17/10；该发明授权一种光储直柔用MMC变流器的换流阀损耗确定方法是由罗永捷;李奇芬;王强钢;周念成;池源;范炳昕;宋佳航;郑鸿设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光储直柔用MMC变流器的换流阀损耗确定方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电力系统输配电技术领域，具体涉及一种光储直柔用MMC变流器的换流阀损耗确定方法，包括：S1、计算MMC变流器的换流阀的通态损耗；S2、计算MMC变流器的换流阀的开关损耗；S3、将通态损耗及开关损耗相加，得到MMC变流器的换流阀损耗；其中，S1包括：S11、计算子模块中开关器件间基于基频周期的平均通态损耗；S12、计算开关器件基于开关周期的平均通态损耗；S13、将IGBT和二极管的通态拟合参数等效，并分别取较大值作为计算参数后，通过计算参数计算换流阀的通态损耗。本发明能够在CPS‑PWM调制下，对MMC变流器的换流阀损耗进行简便、快速且准确的评估。
本发明授权一种光储直柔用MMC变流器的换流阀损耗确定方法在权利要求书中公布了：1.一种光储直柔用MMC变流器的换流阀损耗确定方法，所述MMC变流器的换流阀包括多个桥臂，每个桥臂均包括多个相同的子模块；每个子模块均包括开关器件，所述开关器件包括二极管D与IGBT；其中，IGBT包括IGBT1和IGBT2，二极管D包括二极管D1和二极管D2； 其特征在于，该方法包括以下步骤： S1、计算MMC变流器的换流阀的通态损耗； S2、计算MMC变流器的换流阀的开关损耗； S3、将通态损耗及开关损耗相加，得到MMC变流器的换流阀损耗； 其中，S1包括： S11、计算子模块中开关器件间基于基频周期的平均通态损耗； S12、计算开关器件基于开关周期的平均通态损耗； S13、将IGBT和二极管的通态拟合参数等效，并分别取较大值作为计算参数后，通过计算参数计算换流阀的通态损耗。
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