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龙图腾网获悉东莞市中镓半导体科技有限公司申请的专利单晶衬底的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148579B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210730124.X，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权单晶衬底的制备方法是由卢敬权设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本单晶衬底的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种单晶衬底的制备方法，包括步骤：1提供一衬底，于衬底表面形成多孔结构；2沉积阻挡层，阻挡层覆盖于多孔结构的顶面和多孔结构的内表面；3去除多孔结构顶面的阻挡层，以显露多孔结构的顶面；4于多孔结构上进行单晶层的外延生长并分离衬底，其中，单晶层自多孔结构的顶面开始生长，且阻挡层用于抑制单晶层在多孔结构的内表面的生长。本发明通过应用多孔结构，使外延生长的单晶层可以通过该多孔结构与衬底形成弱连接，从而使得单晶层与衬底具有更高的分离良率。

本发明授权单晶衬底的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单晶衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤： 1提供一衬底，于所述衬底表面形成多孔结构； 2沉积阻挡层，所述阻挡层覆盖于所述多孔结构的顶面和所述多孔结构的内表面； 3去除所述多孔结构顶面的所述阻挡层，以显露所述多孔结构的顶面； 4于所述多孔结构上进行单晶层的外延生长并分离所述衬底，其中，所述单晶层自所述多孔结构的顶面开始生长，且所述阻挡层用于抑制单晶层在所述多孔结构的内表面的生长； 所述衬底为蓝宝石衬底，所述多孔结构包括氮化镓多孔层，所述氮化镓多孔层的制备包括步骤：通过化学气相沉积工艺于所述蓝宝石衬底上形成n型氮化镓层；通过电化学腐蚀工艺在所述n型氮化镓层形成多个孔洞，以形成所述氮化镓多孔层；所述氮化镓多孔层中的各孔洞为穿透所述氮化镓多孔层，使得所述氮化镓多孔层与所述蓝宝石衬底为弱连接，以利于后续的分离； 通过气相沉积工艺形成所述阻挡层，所述阻挡层包括氮化硅、氧化硅及石墨烯中的一种，所述气相沉积工艺包括原子层沉积工艺； 所述单晶层为氮化镓单晶，基于氮化镓在所述多孔结构的顶面的三维纵向外延生长，在各所述孔洞上方的所述氮化镓单晶中形成空隙，同时基于所述氮化镓的二维横向生长，所述孔洞结构的宽度逐渐变小并使所述氮化镓在所述空隙上方合并为完整的氮化镓单晶，该外延生长方式同时有利于降低所述氮化镓单晶的位错密度。

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