株式会社国际电气堀田英树获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理系统及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111566040.9，技术领域涉及：H10P14/00；该发明授权衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理系统及记录介质是由堀田英树;高桥正纮设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理系统及记录介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理系统及记录介质。使在衬底上形成的膜的特性提高。包括：a通过向衬底供给第1处理气体，在上述衬底上形成非晶状态的第1膜的工序；b通过向上述衬底供给第2处理气体，在上述第1膜上形成结晶化温度比上述第1膜低的非晶状态的第2膜的工序；c通过对在上述衬底上形成的上述第1膜和上述第2膜进行加热而使其结晶化的工序；和d在使上述第1膜和上述第2膜结晶化后，通过将上述衬底的表面暴露于蚀刻剂，而至少除去上述第2膜的工序。
本发明授权衬底处理方法、半导体器件的制造方法、衬底处理系统及记录介质在权利要求书中公布了：1.衬底处理方法，其包括： a通过向衬底供给第1处理气体，在所述衬底上形成非晶状态的未掺杂掺杂剂的第1膜的工序； b通过向所述衬底供给第2处理气体，在所述第1膜上形成结晶化温度比所述第1膜低的非晶状态的掺杂有掺杂剂的第2膜的工序； c通过对在所述衬底上形成的所述第1膜和所述第2膜进行加热而使其结晶化的工序； d在使所述第1膜和所述第2膜结晶化后，通过将所述衬底的表面暴露于蚀刻剂，至少除去所述第2膜的工序；和 e在进行c后、进行d前，使所述第1膜及所述第2膜中的掺杂剂所存在的部分氧化并改性为在d中易于被蚀刻的氧化膜的工序， 其中，所述第1膜为非晶硅膜，所述第2膜为非晶硅膜。
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