中国人民解放军96901部队23分队程金星获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军96901部队23分队申请的专利提高封装后增强型氮化镓功率器件饱和漏-源电流的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083894B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210653858.2，技术领域涉及：H10P34/00；该发明授权提高封装后增强型氮化镓功率器件饱和漏-源电流的方法及装置是由程金星;王庆波;于艾;温伟伟;吴友朋;张悦;陈思远;刘凡宇设计研发完成，并于2022-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高封装后增强型氮化镓功率器件饱和漏-源电流的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开了提高封装后增强型氮化镓功率器件饱和漏‑源电流的方法及装置，特点是通过伽马射线对封装后的增强型P型帽层氮化镓功率器件进行辐照，控制伽马射线的能量为1.25MeV、剂量率为10～50radSis、总剂量为600～800kradSi，使得在增强型氮化镓功率器件的P型帽层中引入正电荷缺陷，提高沟道的有效掺杂，以增加封装后增强型氮化镓功率器件的饱和漏‑源电流；优点是解决了目前增强型P型帽层氮化镓功率器件在封装完成后器件参数无法优化的现状，且该方法技术成熟稳定，环境污染小，在辐照过程中不需要加入其他化学物质，成本低。
本发明授权提高封装后增强型氮化镓功率器件饱和漏-源电流的方法及装置在权利要求书中公布了：1.提高封装后增强型氮化镓功率器件饱和漏-源电流的方法，其特征在于通过伽马射线对封装后的增强型P型帽层氮化镓功率器件进行辐照，控制伽马射线的能量为1.25MeV、剂量率为10～50radSis、总剂量为600～800kradSi，使得在增强型氮化镓功率器件的P型帽层中引入正电荷缺陷，提高沟道的有效掺杂，以增加封装后增强型氮化镓功率器件的饱和漏-源电流。
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