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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利片上变压器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115083768B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110276676.3，技术领域涉及：H01F41/04；该发明授权片上变压器及其制作方法是由罗卫军;张荣华;李晨浩;梁家豪设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本片上变压器及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种片上变压器及其制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底表面具有隔离层；在所述隔离层上制备初级线圈组件，所述初级线圈组件包括：电接触的初级线圈和第一引线线圈，以及位于所述初级线圈和所述第一引线线圈之间的第一介质层；在所述初级线圈组件上制备次级线圈组件，所述次级线圈组件包括：电接触的次级线圈和第二引线线圈，以及位于所述次级线圈和所述第二引线线圈之间的第三介质层。本方案可以通过沉积工艺在同一衬底上形成依次交替层叠的线圈和介质层，通过四层线圈和三层介质层即可构成同一片上变压器，不仅可以提升频率和效率，还可以大幅度减小面积，结构简单，体积小。

本发明授权片上变压器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种片上变压器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 提供一衬底，所述衬底表面具有隔离层； 在所述隔离层上制备初级线圈组件，所述初级线圈组件包括：电接触的初级线圈和第一引线线圈，以及位于所述初级线圈和所述第一引线线圈之间的第一介质层；所述初级线圈位于所述衬底与所述第一引线线圈之间；其中，所述初级线圈的外端部连接有第一引线端；所述第一引线线圈的内端部连接有第二引线端；所述第一介质层具有第一镂空图形，所述第一镂空图形的边缘和所露出的所述初级线圈的边缘重合；所述第一引线线圈通过所述第一镂空图形与所述初级线圈电接触；所述第一介质层覆盖所述第二引线端穿过所述初级线圈的路径，以隔离所述第二引线端与所述初级线圈； 在所述初级线圈组件上制备次级线圈组件，所述次级线圈组件与所述初级线圈组件之间具有第二介质层；所述次级线圈组件包括：电接触的次级线圈和第二引线线圈，以及位于所述次级线圈和所述第二引线线圈之间的第三介质层；所述次级线圈位于所述第二引线线圈与所述第一引线线圈之间；其中，所述次级线圈的外端部连接有第三引线端；所述第二引线线圈的内端部连接有第四引线端；所述第三介质层具有第二镂空图形，所述第二引线线圈通过所述第二镂空图形与所述次级线圈电接触；所述第三介质层覆盖所述第四引线端穿过所述次级线圈的路径，以隔离所述第四引线端与所述次级线圈。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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