索尼半导体解决方案公司渡边竜太获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利光接收装置、用于光接收装置的制造方法以及距离测量模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180009232.1，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权光接收装置、用于光接收装置的制造方法以及距离测量模块是由渡边竜太设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本光接收装置、用于光接收装置的制造方法以及距离测量模块在说明书摘要公布了：本技术涉及一种光接收装置、用于光接收装置的制造方法以及距离测量模块从而可以提高灵敏度。提供了一种光接收装置包括：第一抽头，检测由光电转换单元光电转换的电荷；像素阵列单元，其中，具有第二抽头的像素以矩阵形式二维布置，第二抽头检测由光电转换单元光电转换的电荷；片上透镜，针对每个像素设置在基板的光入射面侧上；以及透镜分隔单元，形成在与片上透镜相同的层中并且将片上透镜分隔。例如，本技术可应用于通过间接ToF方法执行距离测量的距离测量系统。
本发明授权光接收装置、用于光接收装置的制造方法以及距离测量模块在权利要求书中公布了：1.一种光接收装置，包括： 像素阵列单元，其中，各自包括第一抽头和第二抽头的像素以矩阵形式二维布置，所述第一抽头检测由光电转换单元光电转换的电荷，所述第二抽头检测由所述光电转换单元光电转换的电荷； 片上透镜，针对每个像素设置在基板的光入射面侧上； 透镜分隔部，形成在与所述片上透镜相同的层中并且将所述片上透镜彼此分隔；以及 晶体管的栅电极结构，所述晶体管的栅电极结构将预定电压施加至所述第一抽头或所述第二抽头。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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