应用材料公司徐翼获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于选择性间隙填充的双等离子体预清洁获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115004329B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080094059.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于选择性间隙填充的双等离子体预清洁是由徐翼;呼宇飞;大东和也;雷雨;吴典晔;贾勒帕里·拉维设计研发完成，并于2020-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于选择性间隙填充的双等离子体预清洁在说明书摘要公布了：描述了用于预清洁具有金属及介电表面的基板的方法。在处理腔室中将包括具有金属底部、介电侧壁和电介质的场的表面结构的基板暴露于双等离子体处理，以从该金属底部、所述介电侧壁、和或该电介质的该场去除化学残留物和或杂质，和或修复所述介电侧壁和或该电介质的该场中的表面缺陷。该双等离子体处理包括直接等离子体和远程等离子体。
本发明授权用于选择性间隙填充的双等离子体预清洁在权利要求书中公布了：1.一种用于在半导体中填充间隙的方法，所述方法包括以下步骤： 在处理腔室中将包括具有金属底部、介电侧壁和电介质的场的表面结构的基板暴露于双等离子体处理，以从所述金属底部、所述介电侧壁和或所述电介质的所述场去除化学残留物和或杂质，和或修复所述介电侧壁和或所述电介质的所述场中的表面缺陷；和 将所述基板暴露于钨前体，以在所述基板上形成钨膜，所述钨膜相对于所述介电侧壁和所述电介质的所述场形成在所述金属底部上， 其中所述双等离子体处理包括直接等离子体和远程等离子体， 其中所述处理腔室包括限定内部空间的至少一个侧壁，所述内部空间包括远程等离子体单元和直接等离子体单元。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人应用材料公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励