中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司康卜文获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利半导体器件的金属布线获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114975232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110206308.1,技术领域涉及:H10W20/43;该发明授权半导体器件的金属布线是由康卜文;高建峰;刘卫兵;王桂磊;杨涛;李俊峰设计研发完成,并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的金属布线在说明书摘要公布了:本申请公开了一种半导体器件的金属布线,包括:在基板上并排排列的多条金属线图案,多条金属线图案包括用于传输控制信号的第一金属线和用于传输电源信号的第二金属线;在第一金属线之间的空余区域、第一金属线与第二金属线之间的空余区域均设置有齿状虚设金属图案;在第二金属线之间的空余区域设置有条状虚设金属图案。本申请考虑金属线图案传输的信号类型,进而对金属线图案周围的虚设金属图案形状进行多样化配置,由于齿状虚设金属图案能够减少与第一金属线之间的相邻面,因此可减少金属线和虚设金属图案之间的信号串扰,同时还可以加强周围使用的电源信号;针对用于传输电源信号的金属线之间的空余区域仍配置版图设计及制备工艺简单的条状虚设金属图案。
本发明授权半导体器件的金属布线在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件的金属布线,其特征在于,包括: 在半导体基板上并排排列的多条金属线图案,所述多条金属线图案包括用于传输控制信号的第一金属线和用于传输电源信号的第二金属线; 位于第一金属线与第一金属线之间的空余区域、第一金属线与第二金属线之间的空余区域均设置有齿状虚设金属图案; 位于第二金属线与第二金属线之间的空余区域设置有条状虚设金属图案; 所述第一金属线的线宽小于所述第二金属线的线宽。
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