矽力杰半导体技术(杭州)有限公司王欢获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉矽力杰半导体技术(杭州)有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899101B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210409725.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王欢设计研发完成，并于2022-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供一半导体衬底，刻蚀所述衬底以于所述衬底中形成沟槽；在所述沟槽中填充绝缘材料；对所述绝缘材料进行刻蚀，以暴露出所述沟槽侧壁与所述衬底上表面交界处的尖角；在部分所述衬底上表面和所述绝缘材料上形成场氧化层，其中，所述沟槽侧壁与所述衬底上表面交界处的尖角在形成所述场氧化层的步骤中被氧化。该方法通过对浅沟槽隔离结构回蚀刻，暴露浅沟槽隔离结构与衬底表面交界处的尖角，并在形成场氧化层的步骤中消除了尖角，从而避免了尖角处的电荷聚集，提高了器件的击穿电压和可靠性。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一半导体衬底，刻蚀所述衬底以于所述衬底中形成沟槽； 在所述沟槽中填充绝缘材料； 对所述绝缘材料进行刻蚀，以暴露出所述沟槽侧壁与所述衬底上表面交界处的尖角； 在部分所述衬底上表面和所述绝缘材料上采用局部氧化隔离方法形成场氧化层， 其中，所述沟槽侧壁与所述衬底上表面交界处的尖角在形成所述场氧化层的步骤中被氧化消除，氧化后所述沟槽侧壁与所述衬底上表面的交界处形成圆弧形钝角。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人矽力杰半导体技术(杭州)有限公司，其通讯地址为：310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号矽力杰大厦；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励