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龙图腾网获悉西安航天民芯科技有限公司申请的专利一种用于大电流DCDC电源模块的误差放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114844474B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210536640.9，技术领域涉及：H03F3/16；该发明授权一种用于大电流DCDC电源模块的误差放大器是由孙权;夏雪;王婉;王勇;袁婷;闫鹏程设计研发完成，并于2022-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于大电流DCDC电源模块的误差放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于大电流DCDC电源模块的误差放大器，包括软启动电路和误差放大器主电路。软启动电路用于在启动时稳定上升电压；误差放大器主电路用于比较反馈电压VFB与基准电压VREF，与补偿电容形成一个远离原点的次主极点。本发明应用于大电流DCDC电源模块中，在技术上通过增大误差放大器的跨导，减小输出电阻，使误差放大器输出端的极点位置远离原点位置，作为电源模块系统的次主极点，保证系统稳定性。

本发明授权一种用于大电流DCDC电源模块的误差放大器在权利要求书中公布了：1.一种用于大电流DCDC电源模块的误差放大器，其特征在于，包括软启动电路和误差放大器主电路； 所述软启动电路用于在启动时稳定上升电压； 所述误差放大器主电路用于比较反馈电压VFB与基准电压VREF，与补偿电容形成一个远离原点的次主极点； 所述软启动电路包括第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2、第三P型MOS管MP3、第四P型MOS管MP4、第一N型MOS管MN1、第二N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3、电阻R和电容C； 所述第一P型MOS管MP1的源极、所述第二P型MOS管MP2的源极与内部电源INTVCC连接； 所述第一P型MOS管MP1的栅极、所述第一P型MOS管MP1的漏极、所述第二P型MOS管MP2的栅极与外部偏置电流IBIAS1连接； 所述第二P型MOS管MP2的漏极、所述第三P型MOS管MP3的源极与所述第四P型MOS管MP4的源极连接； 所述第三P型MOS管MP3的栅极、所述第三N型MOS管MN3的漏极与外部基准电压VREF连接； 所述第三P型MOS管MP3的漏极与所述第一N型MOS管MN1的漏极、所述第一N型MOS管MN1的栅极、所述第二N型MOS管MN2的栅极连接； 所述第四P型MOS管MP4的栅极与外部软启动电压VSS连接，所述第四P型MOS管MP4的漏极与所述第二N型MOS管MN2的漏极、所述第三N型MOS管MN3的栅极、所述电容C的一端连接；所述电容C的另一端与所述电阻R的一端连接，所述第一N型MOS管MN1的源极、所述第二N型MOS管MN2的源极、所述第三N型MOS管MN3的源极、所述电阻R的另一端与地端GND连接； 所述误差放大器主电路包括第五P型MOS管MP5、第六P型MOS管MP6、第七P型MOS管MP7、第八P型MOS管MP8、第九P型MOS管MP9、第十P型MOS管MP10、第十一P型MOS管MP11、第十二P型MOS管MP12、第十三P型MOS管MP13、第十四P型MOS管MP14、第十五P型MOS管MP15、第四N型MOS管MN4、第五N型MOS管MN5、第六N型MOS管MN6、第七N型MOS管MN7、第八N型MOS管MN8、第九N型MOS管MN9、第十N型MOS管MN10、第十一N型MOS管MN11、第十二N型MOS管MN12、第十三N型MOS管MN13和第十四N型MOS管MN14； 所述第五P型MOS管MP5的源极、所述第六P型MOS管MP6的源极、所述第八P型MOS管MP8的源极、所述第十二P型MOS管MP12的源极、所述第十四P型MOS管MP14的源极与内部电源INTVCC连接； 所述第五P型MOS管MP5的栅极、所述第五P型MOS管MP5的漏极、所述第七P型MOS管MP7的栅极、所述第九P型MOS管MP9的栅极、所述第十三P型MOS管MP13的栅极、所述第十五P型MOS管MP15的栅极与所述第五N型MOS管MN5的漏极连接； 所述第六P型MOS管MP6的栅极、所述第八P型MOS管MP8的栅极、所述第七P型MOS管MP7的漏极与所述第六N型MOS管MN6的漏极连接； 所述第六P型MOS管MP6的漏极与所述第七P型MOS管MP7的源极连接，所述第八P型MOS管MP8的漏极与所述第九P型MOS管MP9的源极连接，所述第九P型MOS管MP9的漏极、所述第十P型MOS管MP10的源极与所述第十一P型MOS管MP11的源极连接，所述第十P型MOS管MP10的栅极与外部反馈电压VFB连接； 所述第十P型MOS管MP10的漏极与所述第七N型MOS管MN7的漏极、所述第八N型MOS管MN8的栅极、所述第十二N型MOS管MN12的栅极连接； 所述第十一P型MOS管MP11的栅极与外部基准电压VREF连接，所述第十一P型MOS管MP11的漏极与所述第九N型MOS管MN9的漏极、所述第十N型MOS管MN10的栅极、所述第十四N型MOS管MN14的栅极连接，所述第十二P型MOS管MP12的栅极、所述第十四P型MOS管MP14的栅极、所述第十三P型MOS管MP13的漏极与所述第十一N型MOS管MN11的漏极连接； 所述第十二P型MOS管MP12的漏极与所述第十三P型MOS管MP13的源极连接，所述第十四P型MOS管MP14的漏极与所述第十五P型MOS管MP15的源极连接，所述第十五P型MOS管MP15的漏极、所述第十三N型MOS管MN13的漏极与外部输出端口VC连接； 所述第四N型MOS管MN4的漏极、所述第四N型MOS管MN4的栅极、所述第五N型MOS管MN5的栅极、所述第六N型MOS管MN6的栅极与外部偏置电流IBIAS2连接； 所述第七N型MOS管MN7的栅极、所述第九N型MOS管MN9的栅极、所述第十一N型MOS管MN11的栅极、所述第十三N型MOS管MN13的栅极与外部偏置电压VBIAS连接； 所述第七N型MOS管MN7的源极与所述第八N型MOS管MN8的漏极连接，所述第九N型MOS管MN9的源极与所述第十N型MOS管MN10的漏极连接，所述第十一N型MOS管MN11的源极与所述十二N型MOS管MN12的漏极连接，所述第十三N型MOS管MN13的源极与所述第十四N型MOS管MN14的漏极连接，所述第四N型MOS管MN4的源极、所述第五N型MOS管MN5的源极、所述第六N型MOS管MN6的源极、所述第八N型MOS管MN8的源极、所述第十N型MOS管MN10的源极、所述第十二N型MOS管MN12的源极、所述第十四N型MOS管MN14的源极与地端GND连接。

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