华虹半导体(无锡)有限公司王进峰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利NORD闪存器件逻辑区刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210336530.8，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权NORD闪存器件逻辑区刻蚀方法是由王进峰;张剑;陈华伦设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本NORD闪存器件逻辑区刻蚀方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种NORD闪存器件逻辑区刻蚀方法。该方法包括步骤：提供衬底层，所述衬底层包括存储区和逻辑区；在所述衬底层上依次生长形成连接氧化层、浮栅多晶硅层、多晶硅间介质层和控制栅多晶硅层；定义出所述逻辑区，刻蚀去除位于所述逻辑区位置处的控制栅多晶硅层；依次沉积高温氧化层和氮化硅层，所述高温氧化层和氮化硅层覆盖所述存储区和逻辑区；在所述存储区中制作所述闪存器件的存储单元；定义出所述逻辑区，通过干法刻蚀去除位于所述逻辑区位置处的氮化硅层，使得所述多晶硅间介质层外露；去除位于所述逻辑区位置处剩余的多晶硅间介质层；刻蚀去除位于所述逻辑区中的浮栅多晶硅层。
本发明授权NORD闪存器件逻辑区刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种NORD闪存器件逻辑区刻蚀方法，其特征在于，所述NORD闪存器件逻辑区刻蚀方法包括以下依次步骤： 提供衬底层，所述衬底层包括存储区和逻辑区； 在所述衬底层上依次生长形成连接氧化层、浮栅多晶硅层、多晶硅间介质层和控制栅多晶硅层，所述多晶硅间介质层包括由下至上依次沉积的下氧化物介质层、氮化硅介质层和上氧化物介质层； 定义出所述逻辑区，刻蚀去除位于所述逻辑区位置处的控制栅多晶硅层； 依次沉积高温氧化层和氮化硅层，所述高温氧化层和氮化硅层覆盖所述存储区和逻辑区； 在所述存储区中制作所述闪存器件的存储单元； 定义出所述逻辑区，以所述氮化硅介质层作为刻蚀停止层，通过干法刻蚀去除位于所述逻辑区位置处的氮化硅层，使得所述多晶硅间介质层的氮化硅介质层外露； 去除位于所述逻辑区位置处剩余的多晶硅间介质层； 刻蚀去除位于所述逻辑区中的浮栅多晶硅层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励