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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利峰值电流减小的多裸片存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114708889B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111541911.1，技术领域涉及：G11C5/14；该发明授权峰值电流减小的多裸片存储器装置是由志水唯;J·E·戴维斯设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本峰值电流减小的多裸片存储器装置在说明书摘要公布了：本公开涉及峰值电流减小的多裸片存储器装置。一种存储器装置包括衬底，所述衬底包括衬底接触垫。所述存储器装置包括第一存储器裸片，所述第一存储器裸片包括电耦合到所述衬底接触垫和所述第一存储器裸片上的第一电源电路的第一电源接触垫。所述第一存储器裸片进一步包括电耦合到所述衬底接触垫和所述第一存储器裸片上的第一ESD电源箝位电路的第一静电放电ESD电源箝位接触垫。所述存储器装置进一步包括第二存储器裸片，所述第二存储器裸片包括电耦合到所述衬底接触垫和所述第二存储器裸片上的第二电源电路的第二电源接触垫，以及电耦合到所述第二存储器裸片上的第二ESD电源箝位电路的第二ESD电源箝位接触垫，其中所述第二ESD电源箝位接触垫与所述衬底接触件电断开。

本发明授权峰值电流减小的多裸片存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包含： 衬底，其包含第一衬底接触件、第二衬底接触件和第三衬底接触件； 第一存储器裸片，其耦合到所述衬底，所述第一存储器裸片包含： 第一电源接触垫，其电耦合到所述第一衬底接触件和所述第一存储器裸片上的第一电源电路； 第一静电放电ESD电源箝位接触垫，其电耦合到所述第一衬底接触件和所述第一存储器裸片上的第一ESD电源箝位电路；以及 第一数据总线接触件，其电耦合到所述第二衬底接触件和所述第一存储器裸片上的第一数据总线； 第二存储器裸片，其包含： 第二电源接触垫，其电耦合到所述第一衬底接触件和所述第二存储器裸片上的第二电源电路； 第二ESD电源箝位接触垫，其电耦合到所述第二存储器裸片上的第二ESD电源箝位电路，其中所述第二ESD电源箝位接触垫与所述第一衬底接触件和所述第二衬底接触件电断开；以及 第二数据总线接触件，其电耦合到所述第二衬底接触件和所述第二存储器裸片上的第二数据总线；以及 第三存储器裸片，其包括第三数据总线接触件，所述第三数据总线接触件电耦合到所述第三衬底接触件和所述第三存储器裸片上的第三数据总线。

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