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龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695543B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210143115.0，技术领域涉及：H10D64/68；该发明授权具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法是由张子敏;王宇澄;虞国新;吴飞;钟军满设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请是关于一种具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括：衬底区、漂移区、基体区、源区、高电容率耐压区、沟槽区、源极、漏极以及金属栅极；漂移区设置在衬底区与基体区之间，漏极设置在衬底区下方；漂移区包括：N型耐压区和高电容耐压区；高电容耐压区采用高电容率材料；N型耐压区和高电容耐压区并排分部在衬底区上方；沟槽区包括：由上至下依次设置的控制栅和屏蔽栅，以及将控制栅和屏蔽栅相互隔离的绝缘层；沟槽区设置在高电容率耐压区的上方，使得高电容率耐压区的顶面与屏蔽栅的底面相接。本申请提供的方案，能够提高晶体管的击穿电压。

本发明授权具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高电容率材料的屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底区1、漂移区2、基体区3、源区4、沟槽区5、源极6、漏极7以及金属栅极； 所述漂移区2设置在所述衬底区1与所述基体区3之间，以所述基体区3指向所述衬底区1的方向为下方，所述漏极7设置在所述衬底区1下方；所述漂移区2包括：N型耐压区21和高电容率耐压区22；所述高电容率耐压区22采用高电容率材料；所述N型耐压区21和所述高电容率耐压区22并排分布在所述衬底区1上方； 所述沟槽区5包括：由上至下依次设置的控制栅51和屏蔽栅52，以及将所述控制栅51和所述屏蔽栅52相互隔离的绝缘层53；所述沟槽区5设置在所述高电容率耐压区22的上方，使得所述高电容率耐压区22的顶面与所述屏蔽栅52的底面相接；所述控制栅51与所述屏蔽栅52通过所述绝缘层53贴合在所述源区4和所述基体区3的一侧； 所述金属栅极设置在所述控制栅51上方，所述源极6设置在所述源区4上方； 所述高电容率耐压区22的底面与所述衬底区1的顶面相接； 所述高电容率耐压区22与所述N型耐压区21的界面处形成感应极化电荷，所述感应极化电荷吸引所述N型耐压区21中耗尽的正电荷； 所述屏蔽栅52与所述源极6电连接，所述控制栅51与所述金属栅极电连接。

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