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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011593625.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由张乃千;吴星星;裴轶;宋晰设计研发完成，并于2020-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括有源区以及围绕有源区的无源区；半导体器件还包括：衬底；位于衬底一侧且位于有源区的至少两个栅极，至少两个栅极包括第一栅极和第二栅极；位于衬底一侧且位于无源区的至少一个栅极连接结构，栅极连接结构分别与第一栅极和第二栅极接触电连接；栅极连接结构和与其接触连接的栅极一体设置。采用上述技术方案，可以在兼顾功率和频率特性的同时，保证栅极结构稳定、性能稳定；还可以在满足不同频率和功率设计时，大大降低工业成本；并且半导体器件结构简单，工艺简单。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括有源区以及围绕所述有源区的无源区；所述半导体器件还包括： 衬底； 位于所述衬底一侧且位于所述有源区的至少两个栅极，至少两个所述栅极包括第一栅极和第二栅极； 位于所述衬底一侧且位于所述无源区的至少一个栅极连接结构，所述栅极连接结构分别与所述第一栅极和所述第二栅极接触电连接；所述栅极连接结构和与其接触连接的所述栅极同层且材料相同一体设置； 所述半导体器件还包括第一电极和第二电极；所述第二电极至少包括第二甲电极和第二乙电极； 沿第一方向，所述第二甲电极、第一栅极、所述第一电极、所述第二栅极和所述第二乙电极依次设置；所述第一方向与所述衬底所在平面平行； 所述栅极连接结构包括第一连接分部、第二连接分部和第三连接分部； 所述第一连接分部沿第二方向延伸且与所述第一栅极连接；所述第二方向与第一方向相交且与所述衬底所在平面平行； 所述第三连接分部沿所述第二方向延伸且与所述第二栅极连接； 所述第二连接分部沿第一方向延伸且分别与所述第一连接分部和所述第三连接分部连接； 同一所述栅极连接结构中，所述第一连接分部远离所述第三连接分部一侧的边界与所述第三连接分部远离所述第一连接分部一侧的边界之间的距离为L1； 第二甲电极与第二乙电极之间的距离为L2； 其中，L1＜L2； 所述半导体器件还包括位于所述无源区且位于所述栅极连接结构远离所述有源区一侧的栅极键合盘，所述栅极键合盘与所述栅极连接结构通过过孔电连接。

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