美光科技公司李宜芳获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利竖直晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111029910.9，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权竖直晶体管是由李宜芳;刘鸿威;陆宁;A·A·卡恩德卡尔;J·B·赫尔;S·博尔萨里设计研发完成，并于2021-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本竖直晶体管在说明书摘要公布了：一种竖直晶体管包括顶部源极漏极区、底部源极漏极区、竖直位于所述顶部与底部源极漏极区之间的沟道区及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极。所述顶部源极漏极区与所述沟道区具有顶部界面，且所述底部源极漏极区与所述沟道区具有底部界面。所述沟道区是结晶的，且其晶粒具有小于20纳米的平均晶粒度。所述顶部界面处或所述底部界面处的所述沟道区具有比竖直位于所述顶部及底部界面处的所述晶粒之间的所述沟道区中的所述晶粒的体积大的水平织构。公开其它实施例及方面。
本发明授权竖直晶体管在权利要求书中公布了：1.一种竖直晶体管，其包括： 顶部源极漏极区、底部源极漏极区、竖直位于所述顶部与底部源极漏极区之间的沟道区及可操作地横向邻近所述沟道区的栅极，所述顶部源极漏极区与所述沟道区具有顶部界面，所述底部源极漏极区与所述沟道区具有底部界面； 所述沟道区是结晶的，且其晶粒具有小于20纳米的平均晶粒度；且 所述顶部界面处或所述底部界面处的所述沟道区具有比竖直位于所述顶部及底部界面处的所述晶粒之间的所述沟道区中的所述晶粒的体积大的水平织构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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