中国科学院微电子研究所孔真真获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种新型半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210244113.0，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权一种新型半导体器件的制备方法是由孔真真;王桂磊;亨利·H·阿达姆松;任宇辉设计研发完成，并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种新型半导体器件的制备方法，包括：在第一衬底上形成防缺陷结构，其中，所述防缺陷结构包括叠层结构和图形化结构中的任意一种或两种的组合；在防缺陷结构上形成第一功能材料，以形成低缺陷衬底。本发明提供的新型半导体器件的制备方法，能够以叠层结构或者图形化结构降低膜层中的缺陷，同时，阻挡位错的移动，避免穿透位错的形成。
本发明授权一种新型半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 在第一衬底上形成防缺陷结构，其中，所述防缺陷结构包括叠层结构和图形化结构中的任意一种或两种的组合； 在防缺陷结构上形成第一功能材料，以形成低缺陷衬底； 在防缺陷结构上形成第一功能材料之后还包括：在所述第一功能材料上形成防缺陷结构； 所述方法还包括： 在所述低缺陷衬底上形成键合膜层，以获得第一中间结构； 在第二衬底上依次形成介质膜层和键合膜层，以获得第二中间结构； 将第一中间结构的键合膜层和第二中间结构的键合膜层进行键合，以获得键合结构； 对键合结构中的第一衬底和与第一衬底接触的防缺陷结构进行去除，以获取半导体器件衬底。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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