美光科技公司V·莫斯基亚诺获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利超小型页缓冲器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114627917B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111503982.2，技术领域涉及：G11C7/16；该发明授权超小型页缓冲器是由V·莫斯基亚诺设计研发完成，并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本超小型页缓冲器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种超小型页缓冲器。一种装置包含存储器阵列和感测放大器SA，所述SA与所述存储器阵列且与输入输出IO数据线耦合。所述SA将通过所述IO数据线接收与编程操作相关联的数据位。数模转换器DAC与所述SA耦合，所述DAC将所述数据位转换为模拟电压值。模拟存储器元件与所述DAC耦合，所述模拟存储器元件将所述模拟电压值存储一时间段，直到所述数据位被编程到所述存储器阵列。
本发明授权超小型页缓冲器在权利要求书中公布了：1.一种用于存储器操作的装置，其包括： 存储器阵列； 感测放大器SA，其与所述存储器阵列且与输入输出IO数据线耦合，其中所述SA将通过所述IO数据线接收与编程操作相关联的数据位； 数模转换器DAC，其与所述SA耦合，所述DAC将所述数据位转换为模拟电压值； 模拟存储器元件，其与所述DAC耦合，所述模拟存储器元件将所述模拟电压值存储一时间段；以及 模数转换器ADC，其耦合在所述模拟存储器元件与所述SA之间，其中所述ADC将在所述时间段后将所述模拟电压值转换为所述数据位，并且其中所述SA将所述数据位编程到所述存储器阵列。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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