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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有提供阱电势的阱接触扩散区的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551434B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111325661.8，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权具有提供阱电势的阱接触扩散区的半导体装置是由石松萌;远藤清孝;清水崇成设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有提供阱电势的阱接触扩散区的半导体装置在说明书摘要公布了：本申请涉及一种具有提供阱电势的阱接触扩散区的半导体装置。本文公开了一种设备，其包括：第一扩散区，所述第一扩散区在第一方向上延伸；第二扩散区，所述第二扩散区布置在所述第一方向上；第一金属线，所述第一金属线与所述第一扩散区重叠；第二金属线，所述第二金属线各自与所述第二扩散区中相关联的一个第二扩散区重叠；第三金属线，所述第三金属线与第一和第二金属线重叠；第一接触插头，所述第一接触插头将所述第一金属线路连接至所述第一扩散区；第二接触插头，所述第二接触插头各自将所述第二金属线中相关联的一条第二金属线电连接到所述第二扩散区中相关联的一个第二扩散区；以及第三接触插头，所述第三接触插头各自将所述第三金属线电连接到所述第二金属线中相关联的一条第二金属线。

本发明授权具有提供阱电势的阱接触扩散区的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包含： 阱区，所述阱区具有第一导电类型并在半导体衬底中形成； 第一扩散区，所述第一扩散区在所述阱区中形成，所述第一扩散区具有所述第一导电类型并且在第一方向上延伸； 多个第二扩散区，所述多个第二扩散区在所述阱区中形成，所述第二扩散区具有第二导电类型，所述第二扩散区布置在所述第一方向上； 第一金属线，所述第一金属线在所述第一方向上延伸，以便与所述第一扩散区重叠； 多条第二金属线，所述多条第二金属线各自在第二方向上延伸，以便与所述第二扩散区中相关联的一个第二扩散区重叠； 第三金属线，所述第三金属线在所述第一方向上延伸，以便与所述第一金属线和所述第二金属线中的每一条重叠； 多个第一接触插头，所述多个第一接触插头布置在所述第一方向上，所述第一接触插头将所述第一金属线电连接到所述第一扩散区； 多个第二接触插头，所述多个第二接触插头各自将所述第二金属线中相关联的一条第二金属线电连接到所述第二扩散区中相关联的一个第二扩散区；以及 多个第三接触插头，所述多个第三接触插头各自将所述第三金属线电连接到所述第二金属线中相关联的一条第二金属线。

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