应用材料公司斯里尼瓦斯·甘迪科塔获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利增强材料结构的处置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551230B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111371028.2，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权增强材料结构的处置是由斯里尼瓦斯·甘迪科塔;杨逸雄;杰奎琳·S·阮奇;杨勇;史蒂文·C·H·洪设计研发完成，并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本增强材料结构的处置在说明书摘要公布了：一种在形成在衬底上的半导体结构上形成高κ介电帽层的方法包括以下步骤：在半导体结构上沉积高κ介电帽层；在高κ介电帽层上形成牺牲硅帽层；执行后帽退火工艺以硬化和致密化所沉积的高κ介电帽层；和去除牺牲硅帽层。
本发明授权增强材料结构的处置在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括以下步骤： 在衬底上形成所述半导体结构，包括： 预清洁所述衬底的表面； 在所述衬底的预清洁后的表面上形成界面层； 在所述界面层上沉积高κ栅极介电层； 执行等离子体氮化工艺，以在所沉积的高κ栅极介电层中插入氮原子；和 执行氮化后退火工艺，以钝化等离子体氮化后的高κ栅极介电层中的化学键，其中发生所述等离子体氮化后的高κ栅极介电层的结晶化；和 在形成在所述衬底上的所述半导体结构上形成高κ介电帽层，包括： 在所述半导体结构上沉积所述高κ介电帽层； 在所述高κ介电帽层上沉积牺牲硅帽层； 执行后帽退火工艺，以硬化和致密化所沉积的高κ介电帽层；和 去除所述牺牲硅帽层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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