台湾积体电路制造股份有限公司陈国儒获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利通过注入减小导电特征之间的间隔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520188B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110304424.7，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权通过注入减小导电特征之间的间隔是由陈国儒;刘书豪;陈亮吟;张惠政;杨育佳;周孟翰设计研发完成，并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过注入减小导电特征之间的间隔在说明书摘要公布了：本申请涉及通过注入减小导电特征之间的间隔。一种方法包括在源极漏极区域之上形成第一电介质层，以及在源极漏极区域之上形成源极漏极接触插塞并将该源极漏极接触插塞电连接至源极漏极区域。源极漏极接触插塞的顶部具有第一横向尺寸。执行注入工艺以将掺杂剂注入到第一电介质层中。该注入工艺使得源极漏极接触插塞具有小于第一横向尺寸的第二横向尺寸。该方法还包括在蚀刻停止层之上形成第二电介质层，以及形成与源极漏极接触插塞相邻的栅极接触插塞。
本发明授权通过注入减小导电特征之间的间隔在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体结构的方法，包括： 在源极漏极区域之上形成第一电介质层； 在所述源极漏极区域之上形成源极漏极接触插塞并将该源极漏极接触插塞电连接至所述源极漏极区域，其中，所述源极漏极接触插塞的顶部具有第一横向尺寸； 执行注入工艺以将掺杂剂注入到所述第一电介质层中，其中，所述注入工艺使得所述源极漏极接触插塞的顶部具有小于所述第一横向尺寸的第二横向尺寸； 在所述第一电介质层之上形成第二电介质层；以及 形成与所述源极漏极接触插塞相邻的栅极接触插塞。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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