长江存储科技有限责任公司贾信磊获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利用于执行编程过程的方法及相关的存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114467143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980100813.9，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权用于执行编程过程的方法及相关的存储器件是由贾信磊;李姗;宋雅丽;靳磊;刘红涛;贾建权;赵向南;闵园园设计研发完成，并于2019-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于执行编程过程的方法及相关的存储器件在说明书摘要公布了：公开了一种对三维3DNAND存储器件执行编程过程的方法。该方法使得在预充电阶段期间被捕获在3DNAND存储器件的未被选择的串的中间虚拟存储单元的存储区域中的残留电子被去除，从而减少对与未被选择的串相邻的选择串的编程干扰。
本发明授权用于执行编程过程的方法及相关的存储器件在权利要求书中公布了：1.一种对三维3DNAND存储器件执行编程过程的方法，包括： 在所述编程过程的预充电阶段期间，将第一电压施加到所述3DNAND存储器件的多条字线，其中，所述多条字线垂直地位于多条虚拟字线上方； 在所述预充电阶段期间，将第二电压施加到所述3DNAND存储器件的第二相邻字线，其中，所述第二相邻字线是所述多条字线中的一条且垂直地位于所述多条字线中的被选择的字线上方；以及 在所述编程过程的升压阶段期间，将所述第二电压施加到所述第二相邻字线和所述多条字线中的多条第一字线，并将第三电压施加到所述3DNAND存储器件的第一相邻字线，其中，所述第一相邻字线是所述多条字线中的且不包括在所述多条第一字线中的一条，且垂直地位于所述第二相邻字线下方以及所述被选择的字线上方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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