美光科技公司郎慕蓉获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利基于各种定时容限参数设定的性能度量来对存储器装置进行评级获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111294668.8，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权基于各种定时容限参数设定的性能度量来对存储器装置进行评级是由郎慕蓉;黄健;许中广;周振明设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于各种定时容限参数设定的性能度量来对存储器装置进行评级在说明书摘要公布了：本公开涉及基于各种定时容限参数设定的性能度量来对存储器装置进行评级。确定了一种与将要安装在存储器子系统处的存储器装置相关联的操作定时条件。所述存储器装置可以包含非易失性存储器单元的交叉点阵列。所述操作定时条件对应于非易失性存储器单元的所述交叉点阵列的第一操作延迟定时容限设定。根据低于所述第一操作延迟定时容限设定的第二操作延迟定时容限设定在非易失性存储器单元的所述交叉点阵列处执行第一存储器存取操作集合。确定在执行所述第一存储器存取操作集合期间发生的第一错误数目。响应于确定所述第一错误数目满足错误条件，将第一质量等级分配给所述存储器装置。响应于确定所述第一错误数目不满足所述错误准则，基于一或多个电力电平设定针对非易失性存储器单元的所述交叉点阵列执行进一步测试。
本发明授权基于各种定时容限参数设定的性能度量来对存储器装置进行评级在权利要求书中公布了：1.一种用于对存储器装置进行评级的方法，其包括： 确定与将要安装在存储器子系统处的存储器装置相关联的操作定时条件，所述存储器装置包括非易失性存储器单元的交叉点阵列，其中所述操作定时条件对应于非易失性存储器单元的所述交叉点阵列的第一操作延迟定时容限设定； 根据第二操作延迟定时容限设定在非易失性存储器单元的所述交叉点阵列处执行第一存储器存取操作集合，其中所述第二操作延迟定时容限设定低于所述第一操作延迟定时容限设定； 确定在执行所述第一存储器存取操作集合期间发生的第一错误数目； 响应于确定所述第一错误数目满足错误准则，将第一质量等级分配给所述存储器装置；以及 响应于确定所述第一错误数目不满足所述错误准则，基于一或多个电力电平设定而针对非易失性存储器单元的所述交叉点阵列执行进一步测试。
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