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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体存储器的验证错误位量化电路和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400041B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111538460.6，技术领域涉及：G11C29/04；该发明授权半导体存储器的验证错误位量化电路和方法是由曹毅设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储器的验证错误位量化电路和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体存储器的验证错误位量化电路，包括模式选择单元，从至少两个大小不同的验证标准中选择一个作为验证错误位量化电路的验证标准信号；最高位量化单元，比较验证标准信号和验证错误位信号并生成第一比较结果，根据第一比较结果输出第一使能信号，第一使能信号控制最低位量化单元的开启或关断；最低位量化单元，在其被开启时比较验证错误位信号和第一基准信号生成第二比较结果，根据第二比较结果输出第二使能信号，第二使能信号控制中间位量化单元的开启或关断；以及中间位量化单元，在其被开启时比较验证错误位信号和第二基准信号生成第三比较结果。本发明可以选择开启最合适的量化单元，关闭不必要的量化单元，节省功耗。

本发明授权半导体存储器的验证错误位量化电路和方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器验证错误位量化电路，其特征在于，所述量化电路包括：至少一个反相器和多个量化单元，所述多个量化单元包括最高位量化单元、最低位量化单元和至少一个中间位量化单元，其中； 所述至少一个反相器根据自身的输入信号从至少两个大小不同的验证标准信号中选择一个验证标准信号，将所述验证标准信号传输给所述最高位量化单元； 所述最高位量化单元接收所述验证标准信号和验证错误位信号；比较所述验证标准信号和验证错误位信号生成第一比较结果；根据所述第一比较结果输出第一使能信号； 所述最低位量化单元与所述最高位量化单元连接，接收所述第一使能信号，以及接收所述验证错误位信号和第一基准信号；在基于所述第一使能信号开启时，比较所述验证错误位信号和第一基准信号生成第二比较结果；根据所述第二比较结果输出第二使能信号； 所述至少一个中间位量化单元与所述最低位量化单元连接，接收所述第二使能信号，以及所述验证错误位信号和第二基准信号；在基于所述第二使能信号开启时，比较所述验证错误位信号和所述第二基准信号生成第三比较结果； 其中，所述第一基准信号为所述量化电路所能量化的最低位标准信号，小于所述验证标准信号；所述第二基准信号大于所述第一基准信号、小于所述验证标准信号。

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