弗萨姆材料美国有限责任公司王美良获国家专利权
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龙图腾网获悉弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利用于非保形沉积含硅膜的组合物和使用该组合物的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114365265B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080063028.3，技术领域涉及：H10P14/00；该发明授权用于非保形沉积含硅膜的组合物和使用该组合物的方法是由王美良;王廷敏;雷新建设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于非保形沉积含硅膜的组合物和使用该组合物的方法在说明书摘要公布了：一种用于将非保形的含硅和氧的膜沉积到一个或多个衬底上的包括通孔和或沟槽的表面特征中的原子层沉积方法。
本发明授权用于非保形沉积含硅膜的组合物和使用该组合物的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于将含有硅和氧的膜沉积到衬底上的包括通孔和或沟槽的表面特征中的原子层沉积方法，所述方法包括： a.将在所述表面特征上具有暴露的羟基的所述衬底置于反应器中，和将所述反应器加热至环境温度至700℃范围的至少一个温度，并任选地将所述反应器保持在100托或更低的压力下； b.向所述反应器中引入具有式R1R2R3SiXI的第一前体，其中R1、R2、R3各自独立地选自氢、直链C1-C10烷基、支链C3-C10烷基、C3-C10环烷基、C3-C10杂环基、C2-C10烯基、C2-C10炔基和C4-C10芳基，并且X是含氮杂原子环状基团，其中所述含氮杂原子环状基团是具有至少一个直接连接至氮原子的C=C键的C3至C10杂环基团，以与所述暴露的羟基反应； c.使用惰性气体从所述反应器吹扫任何未反应的第一前体； d.将氧源引入所述反应器中；以及 e.用惰性气体吹扫任何未反应的氧源和任何副产物， 其中重复步骤b至e，直到所述表面特征被预定量的所述含有硅和氧的膜覆盖； 其特征在于所述含有硅和氧的膜是非保形膜。
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