长江存储科技有限责任公司张坤获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361172B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111646843.5，技术领域涉及：H10B43/30；该发明授权三维存储器及其制备方法是由张坤;周文犀;夏志良;霍宗亮设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维存储器及其制备方法。三维存储器包括：堆叠的源极层和堆叠结构以及第一半导体层，所述第一半导体层包括第一部分以及与所述第一部分连接的第二部分，所述堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和层间绝缘层；沟道结构，所述沟道结构穿过所述堆叠结构并延伸至所述源极层；所述第一部分位于所述源极层与所述堆叠结构之间，且与所述沟道结构的沟道层连接，所述第二部分设于所述源极层背离所述堆叠结构的一侧，以及贯穿在所述源极层内。本申请的三维存储器的电性能较好。
本发明授权三维存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 堆叠的源极层和堆叠结构以及第一半导体层，所述第一半导体层包括第一部分以及与所述第一部分连接的第二部分，所述堆叠结构包括交替堆叠的栅极层和层间绝缘层； 沟道结构，所述沟道结构穿过所述堆叠结构并延伸至所述源极层，所述源极层形成有过孔； 外围电路，电连接于所述沟道结构，所述外围电路和所述第一半导体层分别位于所述堆叠结构的相对两侧； 所述第一部分位于所述源极层与所述堆叠结构之间，且与所述沟道结构的沟道层连接，所述第二部分包括第一子部分以及与所述第一子部分连接的第二子部分，所述第一子部分位于所述源极层背离所述堆叠结构的一侧，所述第二子部分位于所述过孔的孔壁。
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