台湾积体电路制造股份有限公司杨哲维获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有复合深沟槽隔离结构的集成芯片及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110250032.7，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权具有复合深沟槽隔离结构的集成芯片及其形成方法是由杨哲维;李升展;曹淳凯;施志承;陈升照;蔡正原设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有复合深沟槽隔离结构的集成芯片及其形成方法在说明书摘要公布了：一种集成芯片，包括：第一图像感测元件及第二图像感测元件，布置在衬底之上。第一微透镜布置在第一图像感测元件之上，且第二微透镜布置在第二图像感测元件之上。复合深沟槽隔离结构布置在第一图像感测元件与第二图像感测元件之间。复合深沟槽隔离结构包括：下部部分，布置在衬底之上；以及上部部分，布置在下部部分之上。下部部分包含第一材料，且上部部分包含具有比第一材料低的反射率的第二材料。
本发明授权具有复合深沟槽隔离结构的集成芯片及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种集成芯片，包括： 第一图像感测元件，布置在衬底之上； 第一微透镜，布置在所述第一图像感测元件之上； 第二图像感测元件，布置在所述衬底之上； 第二微透镜，布置在所述第二图像感测元件之上；以及 复合深沟槽隔离结构，布置在所述第一图像感测元件与所述第二图像感测元件之间，且包括： 下部部分，布置在所述衬底之上且包含第一材料，其中所述第一材料是金属，以及 上部部分，布置在所述下部部分之上且包含具有比所述第一材料低的反射率的第二材料，其中所述第二材料是介电材料， 其中所述下部部分具有第一高度且所述上部部分具有第二高度，其中所述第一图像感测元件具有第三高度，其中所述第一高度与所述第二高度之和约等于所述第三高度，且其中所述第一高度至少是所述第三高度的50％。
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