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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284364B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111645114.8，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置是由山崎舜平;冈崎健一;津吹将志;马场晴之;重信幸惠;肥冢绘美设计研发完成，并于2017-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的晶体管中，抑制电特性的变动且提高可靠性。半导体装置包括晶体管。晶体管包括第一栅电极、第一栅电极之上的第一绝缘膜、第一绝缘膜之上的氧化物半导体膜、氧化物半导体膜之上的第二绝缘膜、第二绝缘膜之上的第二栅电极、以及氧化物半导体膜及第二栅电极之上的第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括与第二栅电极重叠的沟道区域、与第三绝缘膜接触的源区域以及与第三绝缘膜接触的漏区域。第一栅电极与第二栅电极电连接。在对晶体管的饱和区域中的场效应迁移率进行测量时，场效应迁移率的最小值与场效应迁移率的最大值之差为15cm2Vs以下。

本发明授权半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一晶体管，包括含硅的半导体区域； 在所述第一晶体管之上的第二晶体管，包括含氧化物半导体的半导体层；以及 电容器， 其中，第一绝缘体设置在所述半导体区域和第一栅电极之间， 第二绝缘体设置在所述第一栅电极之上， 第一导体及第二导体设置在所述第二绝缘体之上， 所述第二导体用作第二栅电极， 第三绝缘体设置在所述第一导体及所述第二导体之上， 所述半导体层设置在所述第三绝缘体之上， 第四绝缘体设置在所述半导体层之上， 第三导体设置在所述第四绝缘体之上，用作第三栅电极， 第五绝缘体设置在所述第三导体之上， 所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个经由第四导体和第五导体电连接到所述第一栅电极， 所述第四导体设置在所述第四绝缘体中的第一开口中， 所述第五导体设置在所述第二绝缘体中的第二开口中， 所述半导体层及所述第二栅电极不与所述第一栅电极重叠， 所述第一导体与所述半导体区域重叠， 第六导体设置在所述第五绝缘体之上并用作所述电容器的一个电极， 第六绝缘体设置在所述第六导体的侧面之上并与之接触， 并且，第七导体设置在所述第六绝缘体之上，并用作所述电容器的另一电极。

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