扬州大学杨金彭获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州大学申请的专利二极管的制造方法及二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284144B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111325098.4，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权二极管的制造方法及二极管是由杨金彭;汤庆苏;梁维新;杨兆峰;杨梦凡设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本二极管的制造方法及二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二极管的制造方法及其制造的二极管，其中方法包括：S1：设置二极管模型的衬底层和外延材料参数，建立二极管物理模型；S2：改变二极管物理模型的有源区的受主离子的浓度梯度因子，模拟不同浓度梯度因子下的反向击穿电压，获得浓度梯度因子与反向击穿电压的关系曲线图；S3：从浓度梯度因子与反向击穿电压的关系曲线图中获取最大反向击穿电压对应的浓度梯度因子范围；S4：制定并模拟二极管的制作流程，获得使二极管的有源区的受主离子的浓度梯度因子落入浓度梯度因子范围内的工艺参数；S5：按照二极管的制作流程及获得工艺参数制造二极管。上述方法制造的二极管，在相同厚度的外延层下具有最优的反向击穿电压，有最优的抗雪崩能力。
本发明授权二极管的制造方法及二极管在权利要求书中公布了：1.一种二极管，包括有源区、衬底层、外延层、氧化层、氮化层、正面金属电极及背面金属电极，其特征在于，所述外延层的厚度范围为11.5μm至12.5μm，所述外延层的掺杂浓度范围为5.2e13cm-3至5.46e13cm-3，所述衬底层的厚度范围为500至525μm，所述衬底层的电阻率范围为0.002Ω·cm至0.004Ω·cm，所述有源区的受主离子的浓度梯度因子范围为-13cm-3μm至-12.15cm-3μm。
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