中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司杨广立获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利横向双极结型晶体管及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011023288.6，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权横向双极结型晶体管及其形成方法是由杨广立设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本横向双极结型晶体管及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种横向双极结型晶体管及其形成方法，所述横向双极结型晶体管包括：衬底；基区，位于所述衬底中；发射区，位于所述基区中；集电区，位于所述衬底中，且位于所述基区的一侧并与所述基区相连，所述集电区中形成有拾取区；场板结构，位于所述基区和所述拾取区之间的集电区的部分表面，包括依次层叠分布的介质层和场板层。本申请技术方案的横向双极结型晶体管及其形成方法可以同时提高横向双极型晶体管的Bvceo值和β值。
本发明授权横向双极结型晶体管及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种横向双极结型晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 基区，位于所述衬底中； 发射区，位于所述基区中； 集电区，位于所述衬底中，且位于所述基区的一侧并与所述基区相连，所述集电区中形成有拾取区； 场板结构，位于所述基区和所述拾取区之间的集电区的部分表面，包括依次层叠分布的介质层和场板层，所述场板结构与所述基区的相邻侧之间的距离不大于所述拾取区与所述基区相邻侧之间距离的四分之一，所述场板结构与所述拾取区的相邻侧之间的距离不小于所述拾取区与所述基区相邻侧之间距离的四分之一。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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