华虹半导体(无锡)有限公司杜怡行获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利闪存器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256260B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210019965.X，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权闪存器件的制备方法是由杜怡行;顾林;王虎;王壮壮设计研发完成，并于2022-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种闪存器件的制备方法，包括：提供一其上形成有堆叠的浮栅层、ONO层和控制栅层的衬底，所述衬底上形成有沟槽，所述沟槽中形成有侧墙结构；采用自对准硅化物工艺形成导电接触层；采用SPT工艺对所述侧墙结构进行选择性刻蚀；以及形成层间绝缘介质层。本申请通过采用SPT应力临近技术工艺对所述侧墙结构进行选择性刻蚀，因为SPT工艺对某些材料层氮化硅层的刻蚀选择比很高，所以在导电接触层形成自对准硅化物工艺之后通过对侧墙结构中的某些材料层进行针对性地减薄来改善所述层间绝缘介质层在沟槽中的填充，这样可以在不影响器件的电学性能的同时改善层间绝缘介质层的填充，避免空洞缺陷，进一步提高了器件良率。
本发明授权闪存器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种闪存器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底上形成有堆叠的浮栅层、ONO层和控制栅层，其中，所述控制栅层、所述ONO层和所述浮栅层中形成有沟槽，所述沟槽中形成有侧墙结构，所述侧墙结构覆盖所述沟槽的侧壁和部分底壁； 采用自对准硅化物工艺形成导电接触层，所述导电接触层覆盖所述控制栅层和所述沟槽底壁露出的衬底； 采用应力邻近技术工艺对所述侧墙结构进行选择性刻蚀，其中，所述侧墙结构至少包括：两层材料层，在所述选择性刻蚀的过程中，对所述侧墙结构中的远离所述沟槽侧壁的一所述材料层进行针对性减薄；以及， 形成层间绝缘介质层，所述层间绝缘介质层填充所述沟槽。
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