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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利一种浮栅型分栅闪存工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256259B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111570227.6，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权一种浮栅型分栅闪存工艺方法是由许昭昭设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浮栅型分栅闪存工艺方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种浮栅型分栅闪存工艺方法，在P型衬底上生长浮栅氧化层、第一氮化硅层；形成P型阱，去除第一氮化硅层，在浮栅多晶硅层上形成氧化硅层、第二氮化硅层、牺牲氧化硅层及第三氮化硅层；去除第三氮化硅层；淀积第四氮化硅层，形成侧墙；去除第四氮化硅层；去除侧墙和牺牲氧化硅层及第二氮化硅层、氧化硅层、浮栅多晶硅层及浮栅氧化层；去除牺牲氧化硅层上的第四氮化硅层，去除被暴露的牺牲氧化硅层；沉积选择栅介质层，形成选择栅多晶硅层并掺杂；在选择栅多晶硅层顶部形成保护氧化层；去除第三、第四氮化硅层；刻蚀牺牲氧化硅层、第二氮化硅层、氧化硅层、浮栅多晶硅层，形成LDD区；形成第一、第二侧墙介质层；形成源漏重掺杂区。

本发明授权一种浮栅型分栅闪存工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种浮栅型分栅闪存工艺方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供P型衬底，在所述P型衬底上生长浮栅氧化层；之后依次在所述浮栅氧化层上生长浮栅多晶硅层和第一氮化硅层；接着在所述P型衬底形成STI区，同时定义出有源区； 步骤二、在所述有源区注入形成中高压P型阱，并去除所述第一氮化硅层，之后在所述浮栅多晶硅层上依次形成氧化硅层、第二氮化硅层、牺牲氧化硅层以及第三氮化硅层；接着光刻定义闪存单元区域的开口区域，以所述牺牲氧化硅层为刻蚀停止层刻蚀去除所述开口区域的所述第三氮化硅层，形成凹槽；接着淀积第四氮化硅层，并在所述凹槽侧壁的所述第四氮化硅层上形成侧墙； 步骤三、以所述侧墙为掩膜，自对准刻蚀以去除位于所述侧墙之间、所述牺牲氧化硅层上的所述第四氮化硅层，将所述牺牲氧化硅层的一部分暴露；之后去除所述侧墙； 步骤四、去除被暴露的所述牺牲氧化硅层以及所述被暴露的牺牲氧化硅层以下的所述第二氮化硅层、所述氧化硅层、浮栅多晶硅层以及浮栅氧化层； 步骤五、去除所述凹槽区域内的所述牺牲氧化硅层上的所述第四氮化硅层，将所述牺牲氧化硅层部分暴露，去除位于所述第二氮化硅层上被暴露的所述牺牲氧化硅层； 步骤六、沉积选择栅介质层覆盖所述凹槽上表面，之后在所述凹槽内填充选择栅多晶硅层，并对所述选择栅多晶硅层进行掺杂；接着以所述第三氮化硅层为停止层对所述选择栅多晶硅层进行研磨；之后在所述选择栅多晶硅层顶部形成保护氧化层； 步骤七、刻蚀去除所述第三氮化硅层和第四氮化硅层；之后以所述保护氧化层和选择栅介质层自对准依次刻蚀所述牺牲氧化硅层、第二氮化硅层、氧化硅层、浮栅多晶硅层，并注入形成LDD区； 步骤八、形成第一侧墙介质层和依附于所述第一侧墙介质层的第二侧墙介质层；之后进行源漏重掺杂注入形成源漏重掺杂区。

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