三星电子株式会社朱相炫获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器设备和存储设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114255815B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111011803.3,技术领域涉及:G11C29/02;该发明授权非易失性存储器设备和存储设备是由朱相炫;朴泰敏;金亨洙;任载禹;郑原宅设计研发完成,并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器设备和存储设备在说明书摘要公布了:公开了一种非易失性存储器设备和存储设备。该非易失性存储器设备包括:存储器单元阵列,包括单元串;行解码器,通过接地选择线与单元串中的每个单元串的接地选择晶体管连接,通过字线与单元串中的每个单元串的存储器单元连接,并通过串选择线与单元串中的每个单元串的串选择晶体管连接;以及页面缓冲器,通过位线与单元串连接。在检查操作的第一时段中,页面缓冲器向位线施加第一偏置电压,并且行解码器向接地选择线施加关断电压,向串选择线施加导通电压,并且向字线施加第一检查电压。在检查操作的第二时段中,页面缓冲器感测位线的电压的第一改变。
本发明授权非易失性存储器设备和存储设备在权利要求书中公布了:1.一种非易失性存储器设备,包括: 存储器单元阵列,包括单元串,其中,所述单元串中的每个单元串包括在垂直于基板的方向上堆叠的接地选择晶体管、存储器单元和串选择晶体管; 行解码器,通过接地选择线与所述单元串中的每个单元串的接地选择晶体管连接,通过字线与所述单元串中的每个单元串的存储器单元连接,并且通过串选择线与所述单元串中的每个单元串的串选择晶体管连接;和 页面缓冲器,通过位线与所述单元串连接, 其中,在检查操作的第一时段中,所述页面缓冲器被配置为向所述位线施加第一偏置电压, 其中,在所述检查操作的第一时段中,所述行解码器被配置为向所述接地选择线施加关断电压,向所述串选择线施加导通电压,并且向所述字线施加第一检查电压, 其中,在所述检查操作的第二时段中,所述页面缓冲器被配置为感测所述位线的电压的第一改变, 其中,在所述检查操作的第二时段中,响应于感测到所述位线的电压的第一改变,输出状态故障信号, 其中,在所述检查操作的第三时段中,所述页面缓冲器向所述位线施加第二偏置电压, 其中,在所述检查操作的第三时段中,所述行解码器向所述接地选择线施加所述关断电压,向所述串选择线施加所述导通电压,并且向所述字线施加第二检查电压, 其中,在所述检查操作的第四时段中,所述页面缓冲器感测所述位线的电压的第二改变,并且 其中,响应于所述位线当中进行所述第一改变的第一位线的数量等于所述位线当中进行所述第二改变的第二位线的数量,省略所述状态故障信号的输出。
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