长江存储科技有限责任公司刘鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利芯片封装结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188299B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111421696.1，技术领域涉及：H10W70/60；该发明授权芯片封装结构和方法是由刘鹏;张保华;周厚德;陈鹏;钱卫松;陶莉;潘红庆设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构和方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种芯片封装结构，该芯片封装结构包括基板和芯片，其中，所述基板包括：基板本体；阻焊层，位于所述基板本体上；以及回蚀填充结构，位于所述基板本体上并由绝缘材料形成；所述芯片固定于所述基板，并且所述芯片位于所述阻焊层上并覆盖所述回蚀填充结构。根据本申请技术方案解决了因电镀用导线回蚀开窗的凹陷而导致芯片和基板粘合后出现分层进而芯片失效的问题。另外，本申请提供的芯片封装结构的基板厚度和普通电镀线回蚀基板厚度相同，并且在原料成本上可以与常规设计基板大致保持一致。
本发明授权芯片封装结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括： 基板，包括： 基板本体； 阻焊层，位于所述基板本体上；以及 回蚀填充结构，位于所述基板本体上并由绝缘材料形成，所述回蚀填充结构在其远离所述基板本体的表面上具有凹陷； 芯片粘贴薄膜，一部分填充于所述凹陷；以及 芯片，固定于所述基板，所述芯片经由所述芯片粘贴薄膜附接在所述阻焊层上并覆盖所述回蚀填充结构。
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