华南理工大学王文樑获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156346B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010929663.7，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器及其制备方法与应用是由王文樑;李国强;杨昱辉;江弘胜;肖一鸣;董文浩设计研发完成，并于2020-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AlGaNGaN基35GHz毫米波整流器及其制备方法与应用。所述结构自下而上依次为Al衬底、非掺杂AlxGa1‑xN层和非掺杂GaN层，还包括台面隔离凹槽和肖特基接触电极；所述台面隔离凹槽底部位于非掺杂AlxGa1‑xN层，一侧与非掺杂GaN层接触，另一侧与肖特基接触电极接触，所述台面隔离凹槽内表面沉积有一层SiNy钝化层；所述肖特基接触电极底部位于非掺杂AlxGa1‑xN层，一侧与台面隔离凹槽接触，另一侧为整流器的侧面。本发明所得整流器既可在室温下生长，降低了能耗，靶材成本低，又能大规模生产。
本发明授权一种AlGaN/GaN基35GHz毫米波整流器及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种AlGaNGaN基35GHz毫米波整流器，其特征在于，其结构自下而上依次为Al衬底、非掺杂AlxGa1-xN层和非掺杂GaN层，还包括台面隔离凹槽和肖特基接触电极；所述台面隔离凹槽底部位于非掺杂AlxGa1-xN层，一侧与非掺杂GaN层接触，另一侧与肖特基接触电极接触，所述台面隔离凹槽内表面沉积有一层SiNy钝化层；所述肖特基接触电极底部位于非掺杂AlxGa1-xN层，一侧与台面隔离凹槽接触，另一侧为整流器的侧面，其中x=0.15～0.2，y=1.37～1.53； 所述非掺杂AlxGa1-xN层的厚度为300～320nm，所述非掺杂GaN层的厚度为20～30nm； 所述台面隔离凹槽深度为245～255nm；所述肖特基接触电极的厚度为190～200nm； 所述台面隔离凹槽内表面的SiNy钝化层的厚度为8～12nm。
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