三星电子株式会社李钟振获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110532732.5，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体装置是由李钟振;金京旭;金洛焕;刘承勇;郑恩志设计研发完成，并于2021-05-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供了半导体装置。所述半导体装置包括：第一层间绝缘层；下互连线，位于第一层间绝缘层中；蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上；第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；以及上互连线，位于第二层间绝缘层中。上互连线包括延伸通过蚀刻停止层并接触下互连线的过孔部分。过孔部分包括阻挡图案和导电图案。阻挡图案包括位于导电图案与第二层间绝缘层之间的第一阻挡层以及位于导电图案与下互连线之间的第二阻挡层。第一阻挡层的电阻率比第二阻挡层的电阻率大。第一阻挡层中的氮浓度比第二阻挡层中的氮浓度大。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 基底； 第一层间绝缘层，位于基底上； 下互连线，位于第一层间绝缘层中； 蚀刻停止层，位于第一层间绝缘层和下互连线上； 第二层间绝缘层，位于蚀刻停止层上；以及 上互连线，位于第二层间绝缘层中，上互连线包括延伸通过蚀刻停止层并接触下互连线的过孔部分， 其中，过孔部分包括阻挡图案和位于阻挡图案上的导电图案， 其中，阻挡图案包括：第一阻挡层，位于导电图案与第二层间绝缘层之间；以及第二阻挡层，位于导电图案与下互连线之间， 其中，第一阻挡层的电阻系数比第二阻挡层的电阻系数大， 其中，第一阻挡层中的氮的浓度比第二阻挡层中的氮的浓度大，并且 其中，下互连线的上表面包括凹部，第二阻挡层位于凹部中并覆盖第一阻挡层的底表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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