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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利有机中介层及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110805105.4，技术领域涉及：H10W70/652；该发明授权有机中介层及其制造方法是由廖莉菱;游明志;许佳桂;叶书伸;林柏尧;郑心圃设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本有机中介层及其制造方法在说明书摘要公布了：一种有机中介层及其制造方法，该有机中介层包括内埋重分布互连结构的介电材料层、位于介电材料层的第一侧的封装侧凸块结构、以及位于介电材料层的第二侧的晶粒侧凸块结构。在包括第一晶粒侧凸块结构的第一区域与包括第二晶粒侧凸块结构的第二区域之间存在间隙区域。应力减轻线路结构位于在平面图中在间隙区域的范围内的介电材料层之上或之内。每个应力减轻线路结构包括沿各自的水平方向横向地延伸的多个直线段部，并且不电性连接到重分布互连结构。应力减轻线路结构可以包括与位于相同水平高度的重分布互连结构或凸块结构的金属材料相同或不同的材料。

本发明授权有机中介层及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种有机中介层，包括： 多个介电材料层，内埋多个重分布互连结构； 多个封装侧凸块结构，位于所述介电材料层的一第一侧，并连接到所述重分布互连结构中的一封装侧子集； 多个晶粒侧凸块结构，位于所述介电材料层的一第二侧，并连接到所述重分布互连结构中的一晶粒侧子集，其中，所述晶粒侧凸块结构包括位于一第一区域中的多个第一晶粒侧凸块结构和位于一第二区域中的多个第二晶粒侧凸块结构，在一平面图中，该第二区域与该第一区域横向地间隔开一间隙区域，在该间隙区域中没有任何晶粒侧凸块结构；以及 多个应力减轻线路结构，位于在该平面图中在该间隙区域的范围内的所述介电材料层之上或之内，其中，所述应力减轻线路结构与所述封装侧凸块结构、所述重分布互连结构和所述晶粒侧凸块结构中之一者包括相同的材料且位于相同的水平高度，其中： 所述介电材料层包括一晶粒侧介电材料层； 所述晶粒侧凸块结构各自包括与该晶粒侧介电材料层的一水平面接触的水平面； 所述应力减轻线路结构与该晶粒侧介电材料层的该水平面接触；以及 所述应力减轻线路结构具有与所述晶粒侧凸块结构相同的材料组成和相同的厚度。

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