株式会社国际电气山角宥贵获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114080660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080047611.5，技术领域涉及：H10P14/60；该发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置是由山角宥贵;中山雅则;舟木克典;上田立志;坪田康寿;竹岛雄一郎;井川博登;高见荣子;市村圭太设计研发完成，并于2020-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置在说明书摘要公布了：本发明包括a将表面形成有膜的衬底搬入处理容器内的工序；b对包含稀有气体和含氧气体的混合气体进行等离子体化而生成含有氧的反应种、和稀有气体的反应种的工序；和c将含有氧的反应种与稀有气体的反应种一起向衬底供给而使膜氧化的工序，其中，在b中，将作为处理容器内的稀有气体的分压PN相对于混合气体的总压PT而言的比率的PNPT设为0.4以下的大小。
本发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置在权利要求书中公布了：1.半导体器件的制造方法，其具有下述工序： a将表面形成有膜的衬底搬入处理容器内的工序； b对包含稀有气体和含氧气体的混合气体进行等离子体化而生成含有氧的反应种和所述稀有气体的反应种的工序；和 c将所述含有氧的反应种与所述稀有气体的反应种一起向所述衬底供给，在通过渗入至所述膜的内部的所述稀有气体的反应种抑制所述含有氧的反应种的失活的同时使所述膜氧化的工序， 其中，在所述b中，将所述处理容器内的所述稀有气体的分压PN相对于所述混合气体的总压PT而言的比率即分压比PNPT设为0.4以下、且从使得通过依次进行所述b及所述c而得到的改性后的所述膜的湿式蚀刻速率成为通过在所述b中向所述处理容器内的所述衬底单独供给所述含有氧的反应种而不供给所述稀有气体的反应种所得到的膜的湿式蚀刻速率以下的范围内选择的大小， 其中，通过依次进行所述b及所述c而得到的改性后的所述膜的湿式蚀刻速率小于通过依次进行所述b及所述c而得到的改性前的所述膜的湿式蚀刻速率。
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