铠侠股份有限公司林秀和获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置、半导体装置的制造方法及衬底的再利用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078759B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110087368.6，技术领域涉及：H10P58/00；该发明授权半导体装置、半导体装置的制造方法及衬底的再利用方法是由林秀和;松尾美惠设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置、半导体装置的制造方法及衬底的再利用方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体装置、半导体装置的制造方法及衬底的再利用方法。根据一实施方式，半导体装置的制造方法包括：在第1衬底上形成第1半导体层，所述第1半导体层包含第1浓度的杂质原子；在所述第1半导体层上形成第2半导体层，所述第2半导体层包含比所述第1浓度高的第2浓度的杂质原子；以及形成多孔层，所述多孔层是所述第2半导体层的至少一部分经多孔化而成的。所述方法还包括：在所述多孔层上形成第1膜，所述第1膜包含第1元件；准备第2衬底，所述第2衬底上设置着包含第2元件的第2膜；以及将所述第1衬底和所述第2衬底以隔着所述第1膜及所述第2膜的方式贴合。所述方法还包括：以在所述第1衬底上残存所述多孔层的第1部分，在所述第2衬底上残存所述多孔层的第2部分的方式，分离所述第1衬底和所述第2衬底。
本发明授权半导体装置、半导体装置的制造方法及衬底的再利用方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括： 在第1衬底上形成第1半导体层，所述第1半导体层包含第1浓度的杂质原子； 在所述第1半导体层上形成第2半导体层，所述第2半导体层包含比所述第1浓度高的第2浓度的杂质原子，且为非晶层或多晶层； 形成多孔层，所述多孔层是所述第2半导体层的至少一部分经多孔化而成的； 在所述多孔层上形成第1膜，所述第1膜包含作为第1元件的存储单元阵列； 准备第2衬底，所述第2衬底设置着包含第2元件的第2膜； 将所述第1衬底和所述第2衬底以隔着所述第1膜及所述第2膜的方式贴合；以及 以在所述第1衬底上残存所述多孔层的第1部分，在所述第2衬底上残存所述多孔层的第2部分的方式，分离所述第1衬底和所述第2衬底。
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