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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利存储器设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078490B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110641034.9，技术领域涉及：G11C5/06；该发明授权存储器设备是由曹溶成;姜仁昊;朴安洙;朴曾焕;申东夏;郑在元设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器设备在说明书摘要公布了：提供了一种存储器设备。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；和页面缓冲器电路，设置在包括沿第一水平方向设置的主区域和高速缓存区域的页面缓冲器区域，并且包括在主区域中沿第二水平方向彼此相邻的第一页面缓冲器单元和第二页面缓冲器单元。第一页面缓冲器单元的第一读出节点包括第一下金属图案和第一上金属图案，第一上金属图案电连接到第一下金属图案。第二页面缓冲器单元的第二读出节点包括第二下金属图案和第二上金属图案，第二上金属图案电连接到第二下金属图案，并且在第二水平方向上不与第一上金属图案相邻。

本发明授权存储器设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器设备，包括： 存储器单元阵列，包括分别连接到在第一水平方向上延伸的多条位线的多个存储器单元；和 页面缓冲器电路，通过所述多条位线连接到所述存储器单元阵列，所述页面缓冲器电路设置在页面缓冲器区域中，所述页面缓冲器区域包括沿所述第一水平方向布置的主区域和高速缓存区域， 其中所述页面缓冲器电路包括： 沿第二水平方向布置在所述主区域中的第一页面缓冲器单元和第二页面缓冲器单元， 其中所述第一页面缓冲器单元包括： 第一位线选择晶体管，连接到第一位线； 第一读出节点，连接到所述第一位线选择晶体管；和 第一通过晶体管，连接到所述第一读出节点， 其中所述第二页面缓冲器单元包括： 第二位线选择晶体管，连接到第二位线； 第二读出节点，连接到所述第二位线选择晶体管；和 第二通过晶体管，连接到所述第二读出节点， 其中所述第一读出节点包括： 第一下金属图案，设置在下金属层中，并且所述第一下金属图案电连接到所述第一通过晶体管；和 第一上金属图案，设置在沿垂直方向设置在所述下金属层上方的上金属层中，并且所述第一上金属图案电连接到所述第一下金属图案，并且 其中所述第二读出节点包括： 第二下金属图案，设置在所述下金属层中，并且所述第二下金属图案电连接到所述第二通过晶体管；和 第二上金属图案，设置在所述上金属层中，所述第二上金属图案电连接到所述第二下金属图案，并且所述第二上金属图案在所述第二水平方向上不与所述第一上金属图案相邻。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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