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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种氮化物异质结材料表面原位生长SiN钝化膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111093843.7，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权一种氮化物异质结材料表面原位生长SiN钝化膜的方法是由杨乾坤;李忠辉;彭大青;张东国;李传皓;徐轩设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化物异质结材料表面原位生长SiN钝化膜的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氮化物异质结材料表面原位生长SiN钝化膜的方法，包括以下步骤：S1.选取一单晶衬底，置于MOCVD反应腔内的石墨基座上，在氢气和氨气氛围下依次外延生长成核层、缓冲层和氮化物异质结；S2.关闭金属有机源，保持氨气流量不变，将反应腔中氢气转换为氮气，并降低反应腔温度；S3.通入较高流量的硅烷，在氮化物异质结上原位生长第一SiN钝化层；S4.关闭硅烷，保持压力和气氛不变，升高反应腔的温度；S5.通入较低流量硅烷，在第一SiN钝化层上原位生长第二SiN钝化层；S6.关闭硅烷，保持氨气和氮气气氛，降温至取片温度。本发明适用范围广泛，能够在AlNGaN、AlGaNGaN、InAlNGaN、InAlGaNGaN等多种异质结表面原位生长SiN钝化膜。

本发明授权一种氮化物异质结材料表面原位生长SiN钝化膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物异质结材料表面原位生长SiN钝化膜的方法，其特征在于：包括以下步骤： S1.选取一单晶衬底，置于MOCVD反应腔内的石墨基座上，在氢气和氨气氛围下依次外延生长成核层、缓冲层和氮化物异质结； S2.保持氨气流量不变，将反应腔的氢气转换为氮气，反应腔的压强为50~100torr，降低反应腔温度且反应腔温度的调节速率为50~80℃min； S3.通入硅烷，在氮化物异质结上原位生长第一SiN钝化层，生长第一SiN钝化层时的温度为600~850℃，硅烷与氨气的流量比例为1：100~1000； S4.关闭硅烷，保持压力和气氛不变，升高反应腔温度； S5.通入硅烷，在第一SiN钝化层上原位生长第二SiN钝化层，其中生长第二SiN钝化层时的硅烷流量小于步骤S3中生长第一SiN钝化层时的硅烷流量，生长第二SiN钝化层时的温度为900~1100℃，硅烷与氨气的流量比例为1：1500~10000； S6.关闭硅烷，保持氨气和氮气气氛，降温至取片温度。

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