买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利基于忆阻器的三值单变量上旋逻辑和下旋逻辑电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113992200B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111147878.4，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权基于忆阻器的三值单变量上旋逻辑和下旋逻辑电路是由王晓媛;董传涛;周嘉维;程知群设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于忆阻器的三值单变量上旋逻辑和下旋逻辑电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于忆阻器的三值单变量上旋逻辑和下旋逻辑电路。所述基于忆阻器的三值单变量上旋逻辑电路由第一忆阻器M1、第二忆阻器M2、第一NMOS管T1和第二NMOS管T2所构成；所述基于忆阻器的三值单变量下旋逻辑电路由第三忆阻器M3、第四忆阻器M4、第五忆阻器M5、第三NMOS管T3、第四NMOS管T4和第五NMOS管T5所构成。本发明中的基于忆阻器的三值单变量上旋和下旋逻辑电路，电路模型结构清晰简单、易于实现，对多值数字逻辑电路设计等诸多领域中的应用研究具有重要意义。

本发明授权基于忆阻器的三值单变量上旋逻辑和下旋逻辑电路在权利要求书中公布了：1.基于忆阻器的三值单变量上旋逻辑电路，其特征在于：由第一忆阻器M1、第二忆阻器M2、第一NMOS管T1和第二NMOS管T2所构成； 所述第一NMOS管T1的源极与第二NMOS管T2的栅极相连，并作为三值单变量上旋逻辑电路的输入端X；第一NMOS管T1的漏极与第二忆阻器M2的正极相连；第一NMOS管T1的栅极与电源VDD相连； 所述第一忆阻器M1的正极、第二忆阻器M2的负极与第二NMOS管T2的漏极相连，并作为三值单变量上旋逻辑电路的输出端YUP；第一忆阻器M1的负极与电源VDD相连；第二NMOS管T2的源极接地； 对于三值单变量上旋逻辑电路，当输入端为逻辑0时，三值单变量上旋逻辑电路的输出端YUP输出为逻辑1；当输入端为逻辑1时，输出端YUP输出为逻辑2；当输入端为逻辑2时，输出端YUP输出为逻辑0； 所述第一NMOS管T1和第二NMOS管T2的阈值电压均为1.5V，电压VDD为2V，对应逻辑2；VDD2为1V，对应逻辑1；GND为0V，对应逻辑0； 当输入端X接GND时，即输入为逻辑0，第一NMOS管T1导通，第二NMOS管T2截止，电流从第一忆阻器M1和第二忆阻器M2的负极流入、正极流出，阻值都将增大至ROFF，输出端YUP通过第一忆阻器M1和第二忆阻器M2进行分压，即VDD2，输出为逻辑1； 当输入端X接VDD2时，即输入为逻辑1，第一NMOS管T1和第二NMOS管T2均截止，输出端YUP通过第一忆阻器M1构成的上拉电阻连接到VDD，输出为逻辑2； 当输入端X接VDD时，即输入为逻辑2，第一NMOS管T1截止，第二NMOS管T2导通，输出端YUP通过第二NMOS管T2连接至GND，输出为逻辑0。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州电子科技大学，其通讯地址为：310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街道2号大街；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。