旺宏电子股份有限公司刘逸青获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利非易失性存储器装置及其驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113643742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010361657.6，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权非易失性存储器装置及其驱动方法是由刘逸青;杨钦名设计研发完成，并于2020-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器装置及其驱动方法在说明书摘要公布了：一种非易失性存储器装置及其驱动方法，非易失性存储器装置包含多个存储器平面，且驱动方法包括：对第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；若已对第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电达第一时间长度或到达各自对应的电压阈值，则对第二存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电；对设置于第一存储器平面的至少一字线与至少一位线的交叉点的至少一存储单元进行第一数据操作；对设置于第二存储器平面的至少一字线与至少一位线的交叉点的至少一存储单元进行第二数据操作。
本发明授权非易失性存储器装置及其驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置的驱动方法，该非易失性存储器装置包含多个存储器平面，且该驱动方法包含： 对该多个存储器平面中的一第一存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电； 若已对该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线预充电达预定的一第一时间长度或到达各自对应的一电压阈值，则对该多个存储器平面中的一第二存储器平面的至少一字线与至少一位线预充电，其中，该第一存储器平面的该至少一字线中的两个字线具有不同的该电压阈值； 对该第一存储器平面的至少一存储单元进行一第一数据操作，其中该第一存储器平面的该至少一存储单元设置于该第一存储器平面的该至少一字线与该至少一位线的交叉点；以及 对该第二存储器平面的至少一存储单元进行一第二数据操作，其中该第二存储器平面的该至少一存储单元设置于该第二存储器平面的该至少一字线与该至少一位线的交叉点； 其中，该第一数据操作在一第一时段中进行，该第二数据操作在一第二时段中进行，该第一时段的起点早于该第二时段的起点，且该第一时段与该第二时段至少部分重叠。
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