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龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利发光二极管和包括该发光二极管的显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224246B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110081767.1，技术领域涉及：H10K50/15；该发明授权发光二极管和包括该发光二极管的显示装置是由李宝罗;高效敏;赵一薰设计研发完成，并于2021-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管和包括该发光二极管的显示装置在说明书摘要公布了：提供了发光二极管和包括该发光二极管的显示装置。实施例的发光二极管包括：第一电极；空穴传输区域，设置在第一电极上；发射层，设置在空穴传输区域上；电子传输区域，设置在发射层上；以及第二电极，设置在电子传输区域上，其中，空穴传输区域包括：第一空穴传输层，设置为与第一电极相邻，并且具有第一折射率；第二空穴传输层，设置为与发射层相邻，并且具有第二折射率；以及第三空穴传输层，设置在第一空穴传输层与第二空穴传输层之间，并且具有比第一折射率和第二折射率中的每个高的第三折射率，从而表现出高的光提取效率和高的发射效率特性。

本发明授权发光二极管和包括该发光二极管的显示装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，所述发光二极管包括： 第一电极； 空穴传输区域，设置在所述第一电极上； 发射层，设置在所述空穴传输区域上； 电子传输区域，设置在所述发射层上；以及 第二电极，设置在所述电子传输区域上， 其中，所述空穴传输区域包括： 第一空穴传输层，设置为与所述第一电极相邻，并且具有第一折射率； 第二空穴传输层，设置为与所述发射层相邻，并且具有第二折射率；以及 第三空穴传输层，设置在所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层之间，并且具有比所述第一折射率和所述第二折射率中的每个高的第三折射率， 其中，所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层均独立地包括由下面的式1表示的胺化合物： 式1 在式1中， Ara至Arc均独立地为取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的3个至30个成环碳原子的杂芳基， Ra至Rc之中的至少两个均独立地为金刚烷基或环己基，并且 其余为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的胺基或者取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基。

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