三星电子株式会社车相彦获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113160868B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110012265.3，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法是由车相彦;黄柱盛设计研发完成，并于2021-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法在说明书摘要公布了：一种半导体存储器设备包括：ECC电路；错误信息寄存器；刷洗控制电路，用于计数刷新行地址，并且每当计数N个刷新行地址时输出要对第一存储器单元行中的至少一个子页执行的刷洗操作的刷洗地址；以及控制逻辑电路，被配置为：控制ECC电路顺序地读取与第一码字相对应的数据，对第一码字执行错误检测，并基于所错误检测提供错误信息，错误信息指示第一码字中的错误发生计数；以及将错误信息记录在错误信息寄存器中，并基于错误信息选择性地确定是否将校正后的第一码字回写到存储有与第一码字相对应的数据的存储器位置。
本发明授权半导体存储器设备和操作半导体存储器设备的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器设备，包括： 存储器单元阵列，包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括易失性存储器单元； 错误校正码ECC电路； 错误信息寄存器； 刷洗控制电路，被配置为计数刷新行地址，并且每当刷洗控制电路计数N个刷新行地址时输出刷洗地址，以控制要对所述多个存储器单元行中的第一存储器单元行中的至少一个子页执行的刷洗操作，N是大于2的整数；以及 控制逻辑电路，被配置为： 控制所述ECC电路以从第一存储器单元行中的M个子页顺序地读取与第一码字相对应的数据，对所述第一码字执行错误检测，并基于所述错误检测提供错误信息，所述错误信息指示第一码字中的错误发生计数，M是大于1的整数；以及 将所述错误信息记录在所述错误信息寄存器中，并基于所述错误信息选择性地确定是否将校正后的第一码字回写到存储有与第一码字相对应的数据的存储器位置。
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