金华紫芯科技有限公司郭道友获国家专利权
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龙图腾网获悉金华紫芯科技有限公司申请的专利一种pn结型氧化镓基自供电紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113113499B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110329566.9，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种pn结型氧化镓基自供电紫外探测器及其制备方法是由郭道友;王顺利;王亚超;吴小平设计研发完成，并于2021-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种pn结型氧化镓基自供电紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电探测器技术领域，具体涉及一种pn结型氧化镓基自供电紫外探测器及其制备方法，探测器包含衬底、p‑Cr2O3层、n‑Ga2O3层、双层石墨烯层、第一金属电极和第二金属电极，其中，p‑Cr2O3层位于衬底的一侧，n‑Ga2O3层的面积小于述p‑Cr2O3层的面积，n‑Ga2O3层和第二金属电极均位于p‑Cr2O3层背离衬底的一侧，n‑Ga2O3层和第二金属电极不直接接触；双层石墨烯层位于n‑Ga2O3层背离p‑Cr2O3层一侧，第一金属电极位于双层石墨烯层背离n‑Ga2O3层一侧，p‑Cr2O3层和n‑Ga2O3层形成Cr2O3Ga2O3pn结。本发明探测器可在0V偏压下工作，具有零功耗探测紫外光信号的特点，在导弹跟踪、紫外通信、电晕监测等军民领域有广泛的应用。
本发明授权一种pn结型氧化镓基自供电紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种pn结型氧化镓基自供电紫外探测器，其特征在于，包含衬底、p-Cr2O3层、n-Ga2O3层、双层石墨烯层、第一金属电极和第二金属电极，其中，所述p-Cr2O3层位于所述衬底的一侧，所述n-Ga2O3层的面积小于所述p-Cr2O3层的面积，所述n-Ga2O3层和所述第二金属电极均位于所述p-Cr2O3层背离所述衬底的一侧，所述n-Ga2O3层和所述第二金属电极不直接接触；所述双层石墨烯层位于所述n-Ga2O3层背离所述p-Cr2O3层一侧，所述第一金属电极位于所述双层石墨烯层背离所述n-Ga2O3层一侧，所述p-Cr2O3层和所述n-Ga2O3层形成Cr2O3Ga2O3pn结。
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