买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉恩智浦美国有限公司申请的专利具有低压驱动级的多级功率放大器和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113014211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011431998.2，技术领域涉及：H03F3/20；该发明授权具有低压驱动级的多级功率放大器和装置是由伊利·A·马卢夫;吴宇庭;王绿;杨志宏设计研发完成，并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有低压驱动级的多级功率放大器和装置在说明书摘要公布了：一种放大器包括集成在半导体管芯中的驱动级放大器晶体管和末级放大器晶体管。所述驱动级放大器晶体管具有驱动级输入、驱动级输出和输出阻抗，并且所述驱动级放大器晶体管被配置成使用所述驱动级输出处的第一偏置电压来操作。所述末级放大器晶体管具有末级输入、末级输出和输入阻抗。所述末级输入电耦合到所述驱动级输出。所述末级放大器晶体管被配置成使用所述末级输出处的第二偏置电压来操作，且所述第二偏置电压是所述第一偏置电压的至少两倍大。

本发明授权具有低压驱动级的多级功率放大器和装置在权利要求书中公布了：1.一种放大器，其特征在于，包括： 驱动级放大器晶体管，所述驱动级放大器晶体管集成在半导体管芯中且具有驱动级输入、驱动级输出和输出阻抗，其中所述驱动级放大器晶体管被配置成使用所述驱动级输出处的第一偏置电压来操作；以及 末级放大器晶体管，所述末级放大器晶体管集成在所述半导体管芯中且具有末级输入、末级输出和输入阻抗，其中所述末级输入电耦合到所述驱动级输出，且所述末级放大器晶体管被配置成使用所述末级输出处的第二偏置电压来操作，且所述第二偏置电压是所述第一偏置电压的至少两倍大， 其中，所述半导体管芯是硅基管芯，所述驱动级放大器晶体管是第一横向扩散的金属氧化物半导体LDMOS场效应晶体管FET，并且所述末级放大器晶体管是第二LDMOSFET， 并且其中，所述驱动级放大器晶体管具有第一晶体管指，所述第一晶体管指包括具有第一侧壁的第一栅极结构、第一漏极区和从所述第一侧壁延伸到所述第一漏极区的第一漂移区，并且其中所述驱动级放大器晶体管的特征在于第一漏极-源极导通电阻；并且 所述末级放大器晶体管具有第二晶体管指，所述第二晶体管指包括具有第二侧壁的第二栅极结构、第二漏极区和从所述第二侧壁延伸到所述第二漏极区的第二漂移区，并且其中所述末级放大器晶体管的特征在于大于所述第一漏极-源极电阻的第二漏极-源极导通电阻。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人恩智浦美国有限公司，其通讯地址为：美国德克萨斯州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。