株式会社FLOSFIA雨堤耕史获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社FLOSFIA申请的专利半导体装置及半导体系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112802889B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011271959.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及半导体系统是由雨堤耕史;则松和良;冲川满设计研发完成，并于2020-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置及半导体系统。本发明提供一种尤其对功率器件有用且半导体特性优异的半导体装置。半导体装置包括：结晶性氧化物半导体层；和与所述结晶性氧化物半导体层电连接的至少一个电极，在所述结晶性氧化物半导体层的第一面具有至少一个沟槽，所述沟槽包括底面、侧面及所述底面与所述侧面之间的至少一个圆弧部，所述圆弧部的曲率半径在100nm～500nm的范围内，所述侧面和所述结晶性氧化物半导体层的第一面所成的角度为90°以上。
本发明授权半导体装置及半导体系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括：结晶性氧化物半导体层；和与所述结晶性氧化物半导体层电连接的至少一个电极，所述结晶性氧化物半导体层包含α-Ga2O3，在所述结晶性氧化物半导体层的第一面具有至少一个沟槽，所述沟槽包括底面、侧面及所述底面与所述侧面之间的至少一个圆弧部，所述圆弧部的曲率半径在100nm～500nm的范围内，所述侧面和所述结晶性氧化物半导体层的第一面所成的角度为90°以上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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