三星电子株式会社尹成美获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件及制造其的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112635465B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010945220.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及制造其的方法是由尹成美;任桐贤;金主烨;魏胄滢;李南勋;郑天炯设计研发完成，并于2020-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及制造其的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了半导体器件及制造其的方法。该半导体器件可以包括有源图案、硅衬垫、绝缘层、隔离图案和晶体管。有源图案可以从基板突出。具有晶体结构的硅衬垫可以共形地形成在有源图案和基板的表面上。绝缘层可以形成在硅衬垫上。隔离图案可以形成在绝缘层上以填充与有源图案相邻的沟槽。晶体管可以包括栅极结构和杂质区域。栅极结构可以设置在硅衬垫上，并且杂质区域可以形成在硅衬垫和与栅极结构的两侧相邻的有源图案处。
本发明授权半导体器件及制造其的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 从基板突出的有源图案； 具有晶体结构的硅衬垫，所述硅衬垫共形地在所述有源图案的表面和所述基板的表面上； 在所述硅衬垫上的绝缘层； 隔离图案，在所述绝缘层上以填充与所述有源图案相邻的沟槽；以及 晶体管，其包括 在所述硅衬垫上的栅极结构，以及 与所述栅极结构的相应侧相邻的杂质区域，其中 所述有源图案与其他有源图案隔离并在一个方向上延伸， 所述有源图案在长轴方向上的长度大于所述有源图案在垂直于所述长轴方向的短轴方向上的长度，以及 在所述有源图案的在所述长轴方向上的侧壁上的所述硅衬垫的第一厚度不同于在所述有源图案的在所述短轴方向上的侧壁上的所述硅衬垫的第二厚度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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