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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利垂直半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112563285B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010762163.9，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权垂直半导体器件是由金万中设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直半导体器件在说明书摘要公布了：提供一种垂直半导体器件，其包括衬底、形成在衬底上的单元阵列区域和焊盘区域及栅极图案和相应的绝缘层。栅极图案在与衬底的上表面垂直的垂直方向上堆叠。每个栅极图案在衬底的单元阵列区域和焊盘区域上沿与衬底的上表面平行的第一方向延伸。栅极图案包括分别位于栅极图案的在第一方向上的边缘部分处的焊盘。相应的绝缘层位于在垂直方向上相邻的栅极图案之间。焊盘区域上的栅极图案和绝缘层用作焊盘结构，焊盘结构包括具有台阶形状的第一阶梯结构、具有台阶形状且设置在第一阶梯结构下方的第二阶梯结构、位于第一与第二阶梯结构之间的平坦表面部分和形成在平坦表面部分上的虚设阶梯结构。虚设阶梯结构与第一和第二阶梯结构中的每一者间隔开。

本发明授权垂直半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种垂直半导体器件，所述垂直半导体器件包括： 衬底； 单元阵列区域，所述单元阵列区域包括存储单元，所述单元阵列区域形成在所述衬底上； 焊盘区域，所述焊盘区域形成在所述衬底上，并且所述焊盘区域中形成有电连接所述存储单元的接触栓； 栅极图案，所述栅极图案在与所述衬底的上表面垂直的垂直方向上堆叠，每个所述栅极图案在所述单元阵列区域和所述焊盘区域上沿与所述衬底的所述上表面平行的第一方向延伸，并且所述栅极图案包括焊盘，所述焊盘分别设置在所述焊盘区域中以及相应的所述栅极图案的在所述第一方向上的边缘部分处； 绝缘层，所述绝缘层分别位于在所述垂直方向上相邻的栅极图案之间；以及 沟道结构，所述沟道结构位于所述单元阵列区域中并穿过所述栅极图案，所述沟道结构沿所述垂直方向延伸， 其中，位于所述焊盘区域上的所述栅极图案和所述绝缘层用作焊盘结构，并且所述焊盘结构包括具有台阶形状的第一阶梯结构、具有台阶形状并设置在所述第一阶梯结构下方的第二阶梯结构、位于所述第一阶梯结构与所述第二阶梯结构之间的平坦表面部分以及形成在所述平坦表面部分上的虚设阶梯结构，所述第二阶梯结构在所述第一方向上与所述第一阶梯结构间隔开，并且 其中，所述虚设阶梯结构的在所述第一方向上的彼此相对的侧壁具有台阶形状，并且 其中，所述虚设阶梯结构的最上表面低于所述第一阶梯结构的最上表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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