三星电子株式会社李承桓获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112563283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-31发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010939717.8，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权三维半导体存储器件是由李承桓;李洙衡;林周永;张大铉;丁相勋设计研发完成，并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器件在说明书摘要公布了：公开了一种三维半导体存储器件，其包括：交替地堆叠在基板上的栅极间电介质层和电极层；穿透栅极间电介质层和电极层并且延伸到基板中的垂直半导体图案；在垂直半导体图案与电极层之间的阻挡电介质图案；隧道电介质层，在阻挡电介质图案与垂直半导体图案之间并且与栅极间电介质层接触；以及在阻挡电介质图案与隧道电介质层之间的第一电荷存储图案。第一电荷存储图案中的一个与阻挡电介质图案中的一个的顶表面和底表面接触。
本发明授权三维半导体存储器件在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器件，包括： 交替地堆叠在基板上的多个栅极间电介质层和多个电极层； 穿透所述栅极间电介质层和所述电极层的垂直半导体图案，所述垂直半导体图案延伸到所述基板中； 分别在所述垂直半导体图案与所述电极层之间的多个阻挡电介质图案，所述多个阻挡电介质图案彼此间隔开； 在所述多个阻挡电介质图案与所述垂直半导体图案之间的隧道电介质层，所述隧道电介质层与所述栅极间电介质层接触；以及 分别在所述多个阻挡电介质图案与所述隧道电介质层之间的多个第一电荷存储图案，所述第一电荷存储图案彼此间隔开， 其中所述第一电荷存储图案中的一个与所述多个阻挡电介质图案中的一个的顶表面和底表面接触， 其中所述多个阻挡电介质图案中的第一阻挡电介质图案与在垂直方向上邻近于所述第一阻挡电介质图案的所述栅极间电介质层的侧壁分开。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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